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SSW7N60BTM

SSW7N60BTM

SSW7N60BTM

N-CHANNEL POWER MOSFET

SSW7N60BTM Technisches Datenblatt

compliant

SSW7N60BTM Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.67000 $0.67
500 $0.6633 $331.65
1000 $0.6566 $656.6
1500 $0.6499 $974.85
2000 $0.6432 $1286.4
2500 $0.6365 $1591.25
697 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 7A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 1.2Ohm @ 3.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 50 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1800 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 3.13W (Ta), 147W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket D2PAK
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

GPIHV30DFN
GPIHV30DFN
$0 $/Stück
IRFBC40APBF-BE3
BSH103BKR
BSH103BKR
$0 $/Stück
FDB1D7N10CL7
FDB1D7N10CL7
$0 $/Stück
MTB4N40ET4
MTB4N40ET4
$0 $/Stück
STP18N60DM2

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