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STP18N60DM2

STP18N60DM2

STP18N60DM2

MOSFET N-CH 600V 12A TO220

STP18N60DM2 Technisches Datenblatt

nicht konform

STP18N60DM2 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $2.98000 $2.98
50 $2.42860 $121.43
100 $2.20130 $220.13
500 $1.74700 $873.5
1,000 $1.47441 -
2,500 $1.38355 -
5,000 $1.33812 -
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 12A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 295mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 20 nC @ 10 V
vgs (max) ±25V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 800 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 90W (Tc)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

STW20NM60FD
STP10NM60N
STP10NM60N
$0 $/Stück
NTBG045N065SC1
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$0 $/Stück
PMV50UPEVL
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$0 $/Stück
STB170NF04
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$0 $/Stück
C2M0045170P
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$0 $/Stück
FDD3N40TM
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$0 $/Stück
ZVP3306A
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STF4N80K5
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