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2N7002W-G

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2N7002W-G

MOSFET N-CH 60V 0.25A SOT323

2N7002W-G Technisches Datenblatt

nicht konform

2N7002W-G Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.35000 $0.35
500 $0.3465 $173.25
1000 $0.343 $343
1500 $0.3395 $509.25
2000 $0.336 $672
2500 $0.3325 $831.25
1980 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 115mA (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 5Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 50 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 200mW (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SOT-323
Paket / Koffer SC-70, SOT-323
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Zugehörige Teilenummer

SIHFL210TR-GE3
RQ1C065UNTR
RS1G201ATTB1
NTMJS1D7N04CTWG
NTMJS1D7N04CTWG
$0 $/Stück
2N7002/HAMR
2N7002/HAMR
$0 $/Stück
FQU2N60CTU
FQU2N60CTU
$0 $/Stück
IRFPC40PBF
IRFPC40PBF
$0 $/Stück

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