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BS870Q-7-F

BS870Q-7-F

BS870Q-7-F

MOSFET N-CH 60V 250MA SOT23

BS870Q-7-F Technisches Datenblatt

nicht konform

BS870Q-7-F Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.05979 -
6,000 $0.05256 -
15,000 $0.04533 -
30,000 $0.04292 -
75,000 $0.04052 -
150,000 $0.03570 -
0 items
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 250mA (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 5Ohm @ 200mA, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 50 pF @ 10 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 300mW
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SOT-23-3
Paket / Koffer TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Zugehörige Teilenummer

NVTFS6H850NWFTAG
NVTFS6H850NWFTAG
$0 $/Stück
FDD6030BL
IXTP6N100D2
IXTP6N100D2
$0 $/Stück
STF28NM60ND
APT18F60B
BUK663R7-75C,118
BUK663R7-75C,118
$0 $/Stück
IRF7473TRPBF

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