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BSS123-7-F

BSS123-7-F

BSS123-7-F

MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3

BSS123-7-F Technisches Datenblatt

compliant

BSS123-7-F Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.05187 -
6,000 $0.04560 -
15,000 $0.03933 -
30,000 $0.03724 -
75,000 $0.03515 -
150,000 $0.03097 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 170mA (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 6Ohm @ 170mA, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 60 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 300mW (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SOT-23-3
Paket / Koffer TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Zugehörige Teilenummer

PSMN0R7-25YLDX
NDD02N60Z-1G
NDD02N60Z-1G
$0 $/Stück
NTMS4916NR2G
NTMS4916NR2G
$0 $/Stück
PHP45NQ10T,127
RM130N200HD
RM130N200HD
$0 $/Stück
SIS110DN-T1-GE3
NTMFS4926NET1G
NTMFS4926NET1G
$0 $/Stück

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