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NTMS4916NR2G

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onsemi

MOSFET N-CH 30V 7.8A 8SOIC

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NTMS4916NR2G Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
2,500 $0.36685 -
5,000 $0.34155 -
12,500 $0.32890 -
25,000 $0.32200 -
2429 items
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 7.8A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 9mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 15 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1376 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 890mW (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-SOIC
Paket / Koffer 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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Zugehörige Teilenummer

PHP45NQ10T,127
RM130N200HD
RM130N200HD
$0 $/Stück
SIS110DN-T1-GE3
NTMFS4926NET1G
NTMFS4926NET1G
$0 $/Stück
SIHG28N65EF-GE3
SCH1301-TL-E
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$0 $/Stück

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