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IPD50R800CEAUMA1

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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 500 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 7.6A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 13V
rds ein (max) @ id, vgs 800mOhm @ 1.5A, 13V
vgs(th) (max) @ ID 3.5V @ 130µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 12.4 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 280 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 60W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PG-TO252-2
Paket / Koffer TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Zugehörige Teilenummer

STP20NM60
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IRF644PBF
IRF644PBF
$0 $/Stück
STW25N60M2-EP
FDFS2P102A
SPP03N60C3
STB16NF06LT4
RF1S45N02LSM
NTMFS5C604NLT3G
NTMFS5C604NLT3G
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SIHP7N60E-BE3
MVSF2N02ELT1G
MVSF2N02ELT1G
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