Welcome to ichome.com!
| Name | Wert |
|---|---|
| Produktstatus | Obsolete |
| FET-Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-Source-Spannung (VDSS) | 20 V |
| Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C | 3.3A (Ta) |
| Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) | 4.5V, 10V |
| rds ein (max) @ id, vgs | 125mOhm @ 3.3A, 10V |
| vgs(th) (max) @ ID | 3V @ 250µA |
| Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs | 3 nC @ 5 V |
| vgs (max) | ±20V |
| Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds | 182 pF @ 10 V |
| FET-Funktion | Schottky Diode (Isolated) |
| Verlustleistung (max.) | 900mW (Ta) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montageart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | 8-SOIC |
| Paket / Koffer | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Wir sind bestrebt, Ihre Erwartungen zu übertreffen. IChome: Kundenservice neu definiert für die Elektronikbranche.