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SPP03N60C3

SPP03N60C3

SPP03N60C3

COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET

SPP03N60C3 Technisches Datenblatt

compliant

SPP03N60C3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.35000 $0.35
500 $0.3465 $173.25
1000 $0.343 $343
1500 $0.3395 $509.25
2000 $0.336 $672
2500 $0.3325 $831.25
82121 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 3.2A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 1.4Ohm @ 2A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3.9V @ 135µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 17 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 400 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 38W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket PG-TO220-3-1
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

STB16NF06LT4
RF1S45N02LSM
NTMFS5C604NLT3G
NTMFS5C604NLT3G
$0 $/Stück
SIHP7N60E-BE3
MVSF2N02ELT1G
MVSF2N02ELT1G
$0 $/Stück
VN2110K1-G
IXFR20N120P
IXFR20N120P
$0 $/Stück

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