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VN2110K1-G

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MOSFET N-CH 100V 200MA SOT23-3

VN2110K1-G Technisches Datenblatt

compliant

VN2110K1-G Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.37080 -
Inventory changes frequently.
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 200mA (Tj)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 4Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.4V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 50 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 360mW (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SOT-23-3
Paket / Koffer TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Zugehörige Teilenummer

IXFR20N120P
IXFR20N120P
$0 $/Stück
G2R120MT33J
SSN1N45BBU
SCT3080KRC14
SIDR870ADP-T1-RE3
IRL540PBF-BE3
PMT760EN,115
PMT760EN,115
$0 $/Stück

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