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IRF644PBF

IRF644PBF

IRF644PBF

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 250V 14A TO220AB

IRF644PBF Technisches Datenblatt

compliant

IRF644PBF Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.69000 $1.69
50 $1.35180 $67.59
100 $1.18280 $118.28
500 $0.91730 $458.65
1,000 $0.72419 -
2,500 $0.67591 -
5,000 $0.64211 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 250 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 14A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 280mOhm @ 8.4A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 68 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1300 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 125W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220AB
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

STW25N60M2-EP
FDFS2P102A
SPP03N60C3
STB16NF06LT4
RF1S45N02LSM
NTMFS5C604NLT3G
NTMFS5C604NLT3G
$0 $/Stück
SIHP7N60E-BE3
MVSF2N02ELT1G
MVSF2N02ELT1G
$0 $/Stück
VN2110K1-G

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