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DMG1012T-7

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MOSFET N-CH 20V 630MA SOT-523

DMG1012T-7 Technisches Datenblatt

nicht konform

DMG1012T-7 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.06006 -
6,000 $0.05280 -
15,000 $0.04554 -
30,000 $0.04312 -
75,000 $0.04070 -
150,000 $0.03586 -
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 20 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 630mA (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 1.8V, 4.5V
rds ein (max) @ id, vgs 400mOhm @ 600mA, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 1V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 0.74 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±6V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 60.67 pF @ 16 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 280mW (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SOT-523
Paket / Koffer SOT-523
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Zugehörige Teilenummer

IXTH26N60P
IXTH26N60P
$0 $/Stück
STW20NM60
STW20NM60
$0 $/Stück
SCH1333-TL-H
SCH1333-TL-H
$0 $/Stück
HUF76423D3
SIHB17N80AE-GE3
FDG311N

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