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DMN10H170SVTQ-13

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MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26

nicht konform

DMN10H170SVTQ-13 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.20475 $0.20475
500 $0.2027025 $101.35125
1000 $0.200655 $200.655
1500 $0.1986075 $297.91125
2000 $0.19656 $393.12
2500 $0.1945125 $486.28125
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 2.6A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 160mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 9.7 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1167 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 1.2W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TSOT-26
Paket / Koffer SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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Zugehörige Teilenummer

MMFTP84W
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$0 $/Stück
DMN2100UDM-7
STF24N60M6
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$0 $/Stück
IRF7241TRPBF
DMT35M7LFV-13
MCQ16N03-TP
FDD10AN06A0
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$0 $/Stück

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