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DMN2310UTQ-7

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DMN2310UTQ-7

MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT523 T&R

nicht konform

DMN2310UTQ-7 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.08096 $0.08096
500 $0.0801504 $40.0752
1000 $0.0793408 $79.3408
1500 $0.0785312 $117.7968
2000 $0.0777216 $155.4432
2500 $0.076912 $192.28
0 items
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 20 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 1.2A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 1.8V, 4.5V
rds ein (max) @ id, vgs 240mOhm @ 300mA, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 950mV @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 0.7 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±8V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 38 pF @ 10 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 290mW (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SOT-523
Paket / Koffer SOT-523
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Zugehörige Teilenummer

VN0109N3-G
STP13N65M2
STP13N65M2
$0 $/Stück
RT1E050RPTR
SIHH100N60E-T1-GE3
C3M0075120J
C3M0075120J
$0 $/Stück
IXFK64N60Q3
IXFK64N60Q3
$0 $/Stück
IXTP340N04T4
IXTP340N04T4
$0 $/Stück

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