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DMN3033LSNQ-13

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MOSFET N-CH 30V 6A SC59

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DMN3033LSNQ-13 Preise und Bestellung

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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 6A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 30mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.1V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 10.5 nC @ 5 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 755 pF @ 10 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 1.4W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SC-59-3
Paket / Koffer TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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