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DMN3190LDW-7

DMN3190LDW-7

DMN3190LDW-7

MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363

nicht konform

DMN3190LDW-7 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.09600 -
6,000 $0.08720 -
15,000 $0.07840 -
30,000 $0.07400 -
75,000 $0.06652 -
150,000 $0.06432 -
0 items
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 1A
rds ein (max) @ id, vgs 190mOhm @ 1.3A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.8V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 2nC @ 10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 87pF @ 20V
Leistung - max. 320mW
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Lieferantengerätepaket SOT-363
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Zugehörige Teilenummer

DMN1150UFL3-7
DMN2990UDJ-7
FDR8508P
SI4590DY-T1-GE3
SQJB00EP-T1_BE3
EM6J1T2R
EM6J1T2R
$0 $/Stück

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