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DMN32D2LFB4-7

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MOSFET N-CH 30V 300MA 3DFN

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DMN32D2LFB4-7 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.17145 -
6,000 $0.16155 -
15,000 $0.15165 -
30,000 $0.14472 -
75,000 $0.14400 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 300mA (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 1.8V, 4V
rds ein (max) @ id, vgs 1.2Ohm @ 100mA, 4V
vgs(th) (max) @ ID 1.2V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 39 pF @ 3 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 350mW (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket X2-DFN1006-3
Paket / Koffer 3-XFDFN
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