Welcome to ichome.com!
Name | Wert |
---|---|
Produktstatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (VDSS) | 30 V |
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C | 300mA (Ta) |
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) | 1.8V, 4V |
rds ein (max) @ id, vgs | 1.2Ohm @ 100mA, 4V |
vgs(th) (max) @ ID | 1.2V @ 250µA |
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs | - |
vgs (max) | ±10V |
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds | 39 pF @ 3 V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 350mW (Ta) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montageart | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | X2-DFN1006-3 |
Paket / Koffer | 3-XFDFN |
Wir sind bestrebt, Ihre Erwartungen zu übertreffen. IChome: Kundenservice neu definiert für die Elektronikbranche.