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Name | Wert |
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Produktstatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (VDSS) | 60 V |
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C | 100mA (Ta) |
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) | - |
rds ein (max) @ id, vgs | 2Ohm @ 100mA, 4V |
vgs(th) (max) @ ID | 1V @ 250µA |
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs | 0.45 nC @ 4.5 V |
vgs (max) | - |
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds | 32 pF @ 25 V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | - |
Betriebstemperatur | - |
Montageart | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | X1-DFN1006-3 |
Paket / Koffer | 3-UFDFN |
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