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DMN63D1LW-7

DMN63D1LW-7

DMN63D1LW-7

MOSFET N-CH 60V 380MA SOT323

DMN63D1LW-7 Technisches Datenblatt

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DMN63D1LW-7 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.05733 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 380mA (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 2Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 0.3 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 30 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 310mW (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SOT-323
Paket / Koffer SC-70, SOT-323
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Zugehörige Teilenummer

IRFU7546PBF
NTMFS4108NT3G
NTMFS4108NT3G
$0 $/Stück
BUK7S1R5-40HJ
SIHP17N60D-GE3
STL19N60DM2
IRF6617TRPBF
FQP13N10
FQP13N10
$0 $/Stück

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