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DMN63D8L-7

DMN63D8L-7

DMN63D8L-7

MOSFET N-CH 30V 350MA SOT23

DMN63D8L-7 Technisches Datenblatt

nicht konform

DMN63D8L-7 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.04641 -
6,000 $0.04080 -
15,000 $0.03519 -
30,000 $0.03332 -
75,000 $0.03145 -
150,000 $0.02771 -
571543 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 350mA (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 2.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 2.8Ohm @ 250mA, 10V
vgs(th) (max) @ ID 1.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 0.9 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 23.2 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 350mW (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SOT-23-3
Paket / Koffer TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Zugehörige Teilenummer

NTMFS4852NT1G
NTMFS4852NT1G
$0 $/Stück
PSMN1R5-25YL,115
IRFB13N50APBF
RJU002N06T106
PSMN1R4-30YLDX
RD3L140SPFRATL
FDU8770
APT1201R4BFLLG

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