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DMN65D8LQ-13

DMN65D8LQ-13

DMN65D8LQ-13

MOSFET N-CH 60V 310MA SOT23

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DMN65D8LQ-13 Preise und Bestellung

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10,000 $0.03209 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 310mA (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 3Ohm @ 115mA, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 0.87 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 22 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 370mW (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SOT-23-3
Paket / Koffer TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Zugehörige Teilenummer

STF25N60M2-EP
FCPF190N65S3L1
FCPF190N65S3L1
$0 $/Stück
SPB11N60C2
NDB6060L
NDB6060L
$0 $/Stück
PMV90ENER
PMV90ENER
$0 $/Stück
IXFH94N30P3
IXFH94N30P3
$0 $/Stück
IRF830SPBF
IRF830SPBF
$0 $/Stück
IRFR120ZTRPBF

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