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DMN65D8LT-7

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DMN65D8LT-7

MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT523 T&R

DMN65D8LT-7 Technisches Datenblatt

nicht konform

DMN65D8LT-7 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.03871 $0.03871
500 $0.0383229 $19.16145
1000 $0.0379358 $37.9358
1500 $0.0375487 $56.32305
2000 $0.0371616 $74.3232
2500 $0.0367745 $91.93625
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 210mA (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 5Ohm @ 115mA, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 0.4 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 24 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 300mW (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SOT-523
Paket / Koffer SOT-523
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Zugehörige Teilenummer

PSMNR58-30YLHX
BUK7215-55A,118
PMPB14XPX
PMPB14XPX
$0 $/Stück
STP150N10F7AG
NTS4173PT1G
NTS4173PT1G
$0 $/Stück
STD5NK40ZT4
STFU13N80K5

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