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DMN65D8LV-13

DMN65D8LV-13

DMN65D8LV-13

MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT563 T&R

nicht konform

DMN65D8LV-13 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.05456 $0.05456
500 $0.0540144 $27.0072
1000 $0.0534688 $53.4688
1500 $0.0529232 $79.3848
2000 $0.0523776 $104.7552
2500 $0.051832 $129.58
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 310mA (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 3Ohm @ 115mA, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 0.87 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 22 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 370mW (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SOT-23-3
Paket / Koffer TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Zugehörige Teilenummer

SI7720DN-T1-GE3
FDP047N08-F102
FDP047N08-F102
$0 $/Stück
STWA40N90K5
IXTT100N25P
IXTT100N25P
$0 $/Stück
AUIRFS8409-7P
IXTQ52N30P
IXTQ52N30P
$0 $/Stück
SIJ462DP-T1-GE3

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