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DMN66D0LDWQ-13

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DMN66D0LDWQ-13

MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT363 T&R

nicht konform

DMN66D0LDWQ-13 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.05498 $0.05498
500 $0.0544302 $27.2151
1000 $0.0538804 $53.8804
1500 $0.0533306 $79.9959
2000 $0.0527808 $105.5616
2500 $0.052231 $130.5775
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion Standard
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 217mA (Ta)
rds ein (max) @ id, vgs 6Ohm @ 115mA, 5V
vgs(th) (max) @ ID 2V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 0.9nC @ 10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 29.3pF @ 25V
Leistung - max. 400mW (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Lieferantengerätepaket SOT-363
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Zugehörige Teilenummer

IRF7324TRPBF
CSD86311W1723
PMCM650CUNEZ
HUFA76407DK8T-F085
HUFA76407DK8T-F085
$0 $/Stück
DMN31D5UDA-7B
SI4900DY-T1-E3
FDG6332C
FDG6332C
$0 $/Stück
SLA5073
SLA5073
$0 $/Stück
FDMC7208S
FDMC7208S
$0 $/Stück

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