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DMP2006UFGQ-13

DMP2006UFGQ-13

DMP2006UFGQ-13

MOSFET P-CH 20V PWRDI3333

compliant

DMP2006UFGQ-13 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.45205 -
Inventory changes frequently.
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 20 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 17.5A (Ta), 40A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 1.5V, 4.5V
rds ein (max) @ id, vgs 5.5mOhm @ 15A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 1V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 200 nC @ 10 V
vgs (max) ±10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 7500 pF @ 10 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerDI3333-8
Paket / Koffer 8-PowerVDFN
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Zugehörige Teilenummer

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IRF9520
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DMN10H099SFG-13
NVTFWS030N06CTAG
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UJ3C065030K3S
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