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DMT10H009LFG-7

DMT10H009LFG-7

DMT10H009LFG-7

MOSFET N-CH 100V 13A/50A PWRDI

compliant

DMT10H009LFG-7 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.54778 $0.54778
500 $0.5423022 $271.1511
1000 $0.5368244 $536.8244
1500 $0.5313466 $797.0199
2000 $0.5258688 $1051.7376
2500 $0.520391 $1300.9775
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 13A (Ta), 50A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 8.5mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 41 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2361 pF @ 50 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 2W (Ta), 30W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerDI3333-8
Paket / Koffer 8-PowerVDFN
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Zugehörige Teilenummer

DMP3011SFVWQ-13
NTBL095N65S3H
NTBL095N65S3H
$0 $/Stück
UPA2730TP-E2-AZ
UPA2730TP-E2-AZ
$0 $/Stück
DMT10H032LFVW-7
BUK9Y2R8-40HX
2SK3019A-TP
HAT2196C-EL-E
HAT2196C-EL-E
$0 $/Stück
NTND31211PZTAG
NTND31211PZTAG
$0 $/Stück

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