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DMT10H015LFG-7

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DMT10H015LFG-7

MOSFET N-CH 100V PWRDI3333

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DMT10H015LFG-7 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
2,000 $0.52200 -
6,000 $0.49890 -
10,000 $0.48240 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 10A (Ta), 42A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 6V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 13.5mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 33.3 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1871 pF @ 50 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 2W (Ta), 35W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerDI3333-8
Paket / Koffer 8-PowerVDFN
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