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DMT10H072LFV-7

DMT10H072LFV-7

DMT10H072LFV-7

MOSFET N-CH 100V PWRDI3333

compliant

DMT10H072LFV-7 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.63000 $0.63
500 $0.6237 $311.85
1000 $0.6174 $617.4
1500 $0.6111 $916.65
2000 $0.6048 $1209.6
2500 $0.5985 $1496.25
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 4.7A (Ta), 20A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 6V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 62mOhm @ 4.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.8V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 4.5 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 228 pF @ 50 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 2W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerDI3333-8 (Type UX)
Paket / Koffer 8-PowerVDFN
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Zugehörige Teilenummer

APT1201R5BVRG
STP150NF04
STP150NF04
$0 $/Stück
ZXMP10A17KTC
IXFH100N25P
IXFH100N25P
$0 $/Stück
NTA4151PT1G
NTA4151PT1G
$0 $/Stück
FQL50N40

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