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IXFH100N25P

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IXYS

MOSFET N-CH 250V 100A TO247AD

IXFH100N25P Technisches Datenblatt

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IXFH100N25P Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
30 $7.85167 $235.5501
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 250 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 100A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 27mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 4mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 185 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 6300 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 600W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-247 (IXTH)
Paket / Koffer TO-247-3
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Zugehörige Teilenummer

NTA4151PT1G
NTA4151PT1G
$0 $/Stück
FQL50N40
IRF730STRLPBF
NTD4969N-35G
NTD4969N-35G
$0 $/Stück
PSMN7R0-30YLC,115
STD16NF06T4
SI2323DS-T1-GE3

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