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DMTH10H005LCT

DMTH10H005LCT

DMTH10H005LCT

MOSFET N-CH 100V 140A TO220AB

compliant

DMTH10H005LCT Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
50 $2.36000 $118
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 140A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 5mOhm @ 13A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 114 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 3688 pF @ 50 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 187W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220AB
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

IRF9530SPBF
IRF9530SPBF
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NTMFS4825NFET1G
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$0 $/Stück
STP10P6F6
STP10P6F6
$0 $/Stück
IRFB3206GPBF
SI3443BDV-T1-E3
NTJS4151PT1G
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RM42P30DN
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