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RM42P30DN

RM42P30DN

RM42P30DN

Rectron USA

MOSFET P-CHANNEL 30V 42A 8DFN

RM42P30DN Technisches Datenblatt

compliant

RM42P30DN Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.15500 $0.155
500 $0.15345 $76.725
1000 $0.1519 $151.9
1500 $0.15035 $225.525
2000 $0.1488 $297.6
2500 $0.14725 $368.125
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 42A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 14mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2215 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 37W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-DFN-EP (3x3)
Paket / Koffer 8-PowerVDFN
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