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PJQ4465AP_R2_00001

PJQ4465AP_R2_00001

PJQ4465AP_R2_00001

60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

compliant

PJQ4465AP_R2_00001 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.68000 $0.68
500 $0.6732 $336.6
1000 $0.6664 $666.4
1500 $0.6596 $989.4
2000 $0.6528 $1305.6
2500 $0.646 $1615
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 5A (Ta), 16A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 48mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 22 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1256 pF @ 30 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 2W (Ta), 20W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket DFN3333-8
Paket / Koffer 8-PowerVDFN
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Zugehörige Teilenummer

FQPF32N12V2
DMN6075S-13
SIR873DP-T1-GE3
NTMFS4943NT1G
NTMFS4943NT1G
$0 $/Stück
ZVP4525ZTA
STF8NM50N
STF8NM50N
$0 $/Stück

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