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Name | Wert |
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Produktstatus | Obsolete |
FET-Typ | N and P-Channel Complementary |
FET-Funktion | Logic Level Gate |
Drain-Source-Spannung (VDSS) | 40V |
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C | 5.2A (Ta), 4.7A (Ta) |
rds ein (max) @ id, vgs | 50mOhm @ 4.5A, 10V, 60mOhm @ 3.8A, 10V |
vgs(th) (max) @ ID | 1V @ 250mA (Min) |
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs | 17nC @ 10V |
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds | 770pF @ 40V, 1000pF @ 20V |
Leistung - max. | 2.1W |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montageart | Surface Mount |
Paket / Koffer | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Lieferantengerätepaket | 8-SO |
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