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AUIRF7379Q

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AUIRF7379Q

MOSFET N/P-CH 30V 5.8A 8SOIC

AUIRF7379Q Technisches Datenblatt

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AUIRF7379Q Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N and P-Channel
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 5.8A, 4.3A
rds ein (max) @ id, vgs 45mOhm @ 5.8A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 25nC @ 10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 520pF @ 25V
Leistung - max. 2.5W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket 8-SOIC
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Zugehörige Teilenummer

ZXMN6A11DN8TC
IRF7506TR
IRF7316TR
DMN3033LSDQ-13
SI4542DY-T1-E3
ZVN4206NTC
IRF7316PBF
SI1912EDH-T1-E3

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