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SI1912EDH-T1-E3

SI1912EDH-T1-E3

SI1912EDH-T1-E3

Vishay Siliconix

MOSFET 2N-CH 20V 1.13A SC70-6

nicht konform

SI1912EDH-T1-E3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (VDSS) 20V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 1.13A
rds ein (max) @ id, vgs 280mOhm @ 1.13A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 450mV @ 100µA (Min)
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 1nC @ 4.5V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds -
Leistung - max. 570mW
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Lieferantengerätepaket SC-70-6
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Zugehörige Teilenummer

2N7002V-TP
FDS4953
SUD50NP04-77P-T4E3
SI1913EDH-T1-E3
SP8K32FRATB
SIA912DJ-T1-GE3
IRF7105PBF
SP8M6FRATB
SP8M6FRATB
$0 $/Stück

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