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SI1913EDH-T1-E3

SI1913EDH-T1-E3

SI1913EDH-T1-E3

Vishay Siliconix

MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SC70-6

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SI1913EDH-T1-E3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.49200 -
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ 2 P-Channel (Dual)
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (VDSS) 20V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 880mA
rds ein (max) @ id, vgs 490mOhm @ 880mA, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 450mV @ 100µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 1.8nC @ 4.5V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds -
Leistung - max. 570mW
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Lieferantengerätepaket SC-70-6
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Zugehörige Teilenummer

SP8K32FRATB
SIA912DJ-T1-GE3
IRF7105PBF
SP8M6FRATB
SP8M6FRATB
$0 $/Stück
NTJD2152PT1G
NTJD2152PT1G
$0 $/Stück
SI1024X-T1-E3
FDS6898A_NF40
FDS6898A_NF40
$0 $/Stück

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