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FDS4953

FDS4953

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P-CHANNEL POWER MOSFET

FDS4953 Technisches Datenblatt

nicht konform

FDS4953 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
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500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ 2 P-Channel (Dual)
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 5A
rds ein (max) @ id, vgs 55mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 9nC @ 5V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 528pF @ 15V
Leistung - max. 900mW
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket 8-SOIC
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Zugehörige Teilenummer

SUD50NP04-77P-T4E3
SI1913EDH-T1-E3
SP8K32FRATB
SIA912DJ-T1-GE3
IRF7105PBF
SP8M6FRATB
SP8M6FRATB
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NTJD2152PT1G
NTJD2152PT1G
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