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ZXMN6A11DN8TC

ZXMN6A11DN8TC

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MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8SOIC

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ZXMN6A11DN8TC Preise und Bestellung

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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 2.5A
rds ein (max) @ id, vgs 120mOhm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 1V @ 250µA (Min)
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 5.7nC @ 10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 330pF @ 40V
Leistung - max. 1.8W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket 8-SO
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Zugehörige Teilenummer

IRF7506TR
IRF7316TR
DMN3033LSDQ-13
SI4542DY-T1-E3
ZVN4206NTC
IRF7316PBF
SI1912EDH-T1-E3
2N7002V-TP

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