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FDS8949-F085

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POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6

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FDS8949-F085 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
2,500 $0.72472 -
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (VDSS) 40V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 6A
rds ein (max) @ id, vgs 29mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 11nC @ 5V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 955pF @ 20V
Leistung - max. 2W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket 8-SOIC
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Zugehörige Teilenummer

SI4542DY-T1-E3
ZVN4206NTC
IRF7316PBF
SI1912EDH-T1-E3
2N7002V-TP
FDS4953
SUD50NP04-77P-T4E3
SI1913EDH-T1-E3
SP8K32FRATB

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