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ZXMN10A08E6TC

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MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT26

nicht konform

ZXMN10A08E6TC Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.26310 $0.2631
500 $0.260469 $130.2345
1000 $0.257838 $257.838
1500 $0.255207 $382.8105
2000 $0.252576 $505.152
2500 $0.249945 $624.8625
0 items
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 1.5A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 6V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 250mOhm @ 3.2A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 7.7 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 405 pF @ 50 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 1.1W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SOT-26
Paket / Koffer SOT-23-6
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Zugehörige Teilenummer

FQD6N25TM
FQD6N25TM
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IRFD123
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$0 $/Stück
IXTX170P10P
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$0 $/Stück
RM2333A
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IXTY26P10T
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PMR290XN,115
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