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ZXMN10B08E6TA

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MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT26

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ZXMN10B08E6TA Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.34285 -
6,000 $0.32184 -
15,000 $0.31133 -
30,000 $0.30560 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 1.6A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.3V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 230mOhm @ 1.6A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 9.2 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 497 pF @ 50 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 1.1W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SOT-26
Paket / Koffer SOT-23-6
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Zugehörige Teilenummer

DMP2075UVT-13
APT50M65LFLLG
UJ4C075033K4S
UJ4C075033K4S
$0 $/Stück
STD90N03L
STD90N03L
$0 $/Stück
DMN3016LSS-13
STW28NM50N
STW28NM50N
$0 $/Stück
STW12N120K5
STP11N52K3
STP11N52K3
$0 $/Stück

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