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| Name | Wert |
|---|---|
| Produktstatus | Active |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Drain-Source-Spannung (VDSS) | 200 V |
| Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C | 48A (Ta) |
| Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) | 5V |
| rds ein (max) @ id, vgs | 10mOhm @ 20A, 5V |
| vgs(th) (max) @ ID | 2.5V @ 7mA |
| Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs | 8.8 nC @ 5 V |
| vgs (max) | +6V, -4V |
| Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds | 950 pF @ 100 V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | - |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Montageart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | Die |
| Paket / Koffer | Die |
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