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TK22E10N1,S1X

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TK22E10N1,S1X

MOSFET N CH 100V 52A TO220

nicht konform

TK22E10N1,S1X Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.37000 $1.37
50 $1.09200 $54.6
100 $0.95550 $95.55
500 $0.74100 $370.5
1,000 $0.58500 -
2,500 $0.54600 -
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 52A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 13.8mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 300µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 28 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1800 pF @ 50 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 72W (Tc)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

IRFI520GPBF
IRFI520GPBF
$0 $/Stück
SI3460BDV-T1-E3
DMG4496SSS-13
SI4626ADY-T1-E3
SI7129DN-T1-GE3
PSMN7R5-30YLDX
FQP12N60C
FQP12N60C
$0 $/Stück

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