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EPC2106ENGRT

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EPC

GAN TRANS 2N-CH 100V BUMPED DIE

compliant

EPC2106ENGRT Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
2,500 $0.78400 -
Inventory changes frequently.
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Discontinued at Digi-Key
FET-Typ 2 N-Channel (Half Bridge)
FET-Funktion GaNFET (Gallium Nitride)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 1.7A
rds ein (max) @ id, vgs 70mOhm @ 2A, 5V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 600µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 0.73nC @ 5V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 75pF @ 50V
Leistung - max. -
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer Die
Lieferantengerätepaket Die
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Zugehörige Teilenummer

SI5513DC-T1-GE3
FDW2601NZ
NTZD3152PT5G
NTZD3152PT5G
$0 $/Stück
SI4567DY-T1-E3
FDS9953A
NTJD1155LT1
NTJD1155LT1
$0 $/Stück
DMN63D1LDW-13
SI4500BDY-T1-GE3
NTQD4154ZR2
NTQD4154ZR2
$0 $/Stück

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