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SI4500BDY-T1-GE3

SI4500BDY-T1-GE3

SI4500BDY-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N/P-CH 20V 6.6A 8-SOIC

nicht konform

SI4500BDY-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N and P-Channel, Common Drain
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (VDSS) 20V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 6.6A, 3.8A
rds ein (max) @ id, vgs 20mOhm @ 9.1A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 1.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 17nC @ 4.5V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds -
Leistung - max. 1.3W
Betriebstemperatur -
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket 8-SOIC
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Zugehörige Teilenummer

NTQD4154ZR2
NTQD4154ZR2
$0 $/Stück
SI6966EDQ-T1-GE3
SI5935DC-T1-E3
SI7946DP-T1-E3
IRF7752TR
NTMFD4901NFT3G
NTMFD4901NFT3G
$0 $/Stück

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