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Name | Wert |
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Produktstatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | GaNFET (Gallium Nitride) |
Drain-Source-Spannung (VDSS) | 80 V |
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C | 10A (Ta) |
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) | 5V |
rds ein (max) @ id, vgs | 20mOhm @ 6A, 5V |
vgs(th) (max) @ ID | 2.5V @ 2mA |
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs | 2.2 nC @ 5 V |
vgs (max) | +6V, -4V |
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds | 238 pF @ 40 V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | - |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Montageart | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | Die |
Paket / Koffer | Die |
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