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SI3459BDV-T1-E3

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SI3459BDV-T1-E3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 60V 2.9A 6TSOP

SOT-23

nicht konform

SI3459BDV-T1-E3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.35595 -
6,000 $0.33285 -
15,000 $0.32130 -
30,000 $0.31500 -
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 2.9A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 216mOhm @ 2.2A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 12 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 350 pF @ 30 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 3.3W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 6-TSOP
Paket / Koffer SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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Zugehörige Teilenummer

2N7002KW
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$0 $/Stück
NVHL060N090SC1
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BSS123TA
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$0 $/Stück
NX138BKR
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$0 $/Stück
IXFN24N100
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$0 $/Stück
STW21N65M5
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