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BSS123TA

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MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3

SOT-23

BSS123TA Technisches Datenblatt

nicht konform

BSS123TA Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.11990 -
6,000 $0.11385 -
15,000 $0.10478 -
30,000 $0.09873 -
75,000 $0.08965 -
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 170mA (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 6Ohm @ 100mA, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 20 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 360mW (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SOT-23-3
Paket / Koffer TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Zugehörige Teilenummer

NX138BKR
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$0 $/Stück
IXFN24N100
IXFN24N100
$0 $/Stück
STW21N65M5
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$0 $/Stück
SUM90100E-GE3
APT20M22LVRG
CSD17308Q3
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$0 $/Stück
SIHP21N60EF-BE3
FCD5N60TM-WS
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APT8024LFLLG

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