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Name | Wert |
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Produktstatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (VDSS) | 60 V |
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C | 265mA (Ta) |
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) | 2.5V, 10V |
rds ein (max) @ id, vgs | 3.5Ohm @ 200mA, 10V |
vgs(th) (max) @ ID | 1.5V @ 250µA |
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs | 0.49 nC @ 4.5 V |
vgs (max) | ±20V |
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds | 20.2 pF @ 30 V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 310mW (Ta) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montageart | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | TO-236AB |
Paket / Koffer | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
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