Welcome to ichome.com!

logo
Heim

G3R45MT17D

G3R45MT17D

G3R45MT17D

SIC MOSFET N-CH 61A TO247-3

G3R45MT17D Technisches Datenblatt

compliant

G3R45MT17D Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $34.69000 $34.69
500 $34.3431 $17171.55
1000 $33.9962 $33996.2
1500 $33.6493 $50473.95
2000 $33.3024 $66604.8
2500 $32.9555 $82388.75
209 items
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie SiCFET (Silicon Carbide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 1700 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 61A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 15V
rds ein (max) @ id, vgs 58mOhm @ 40A, 15V
vgs(th) (max) @ ID 2.7V @ 8mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 182 nC @ 15 V
vgs (max) ±15V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 4523 pF @ 1000 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 438W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-247-3
Paket / Koffer TO-247-3
Das Laden der PDF ist fehlgeschlagen. Sie können versuchen, sie in einem neuen Fenster zu öffnen, um darauf zuzugreifen [Offen], oder klicken Sie hier, um zurückzukehren

Zugehörige Teilenummer

APT6021BLLG
2SK4065-DL-1EX
2SK4065-DL-1EX
$0 $/Stück
IXTH30N50P
IXTH30N50P
$0 $/Stück
BUK754R0-55B,127
BUK754R0-55B,127
$0 $/Stück
IRFP21N60LPBF
IXFR24N100Q3
IXFR24N100Q3
$0 $/Stück
RM50N30DN
RM50N30DN
$0 $/Stück
SIJ188DP-T1-GE3

Ihr zuverlässiger Partner in der Elektronik

Wir sind bestrebt, Ihre Erwartungen zu übertreffen. IChome: Kundenservice neu definiert für die Elektronikbranche.